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型号 SPD50N03S2L-06 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
SPD50N03S2L-06 G PDF
代理商 SPD50N03S2L-06 G
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 6.4 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 85µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2530pF @ 25V
功率 - 最大 136W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
其它名称 SPD50N03S2L-06 GDKR
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SPD62-103M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 10.0UH SMD
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SPD62-104M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELD 100.0UH SMD
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SPD62-122M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 1.20UH SMD
SPD62-122M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 1.20UH SMD
SPD62-123M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 12.0UH SMD
SPD62-123M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 12.0UH SMD
SPD62-124M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELD 120.0UH SMD
SPD62-124M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELD 120.0UH SMD
SPD62-153M API Delevan Inc INDUCTOR PWR SHIELDED 15.0UH SMD
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